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IRLML6344TRPBF  与  SQ2348ES-T1_GE3  区别

型号 IRLML6344TRPBF SQ2348ES-T1_GE3
唯样编号 A-IRLML6344TRPBF A3-SQ2348ES-T1_GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@5A,4.5V 24mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 3W(Tc)
栅极电压Vgs ±12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 5A 8A(Tc)
系列 HEXFET® SQ
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V 540pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 4.5V 14.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V 540pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 4.5V 14.5nC @ 10V
库存与单价
库存 48 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6344TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5A,4.5V N-Channel 30V 5A SOT-23

暂无价格 48 当前型号
SQ2348ES-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 30V 8A(Tc) 24mΩ@12A,10V 车规

暂无价格 185 对比
SI2338DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ

¥1.3941 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.3941
0 对比
SI2338DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ

暂无价格 0 对比
SQ2348ES-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 30V 8A(Tc) 24mΩ@12A,10V 车规

暂无价格 0 对比

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