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IRFR220NPBF  与  1N4937-E3/54  区别

型号 IRFR220NPBF 1N4937-E3/54
唯样编号 A-IRFR220NPBF A-1N4937-E3/54
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 整流二极管
描述 Single N-Channel 200 V 6.8 mOhm 23 nC 43 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 1N4937 Series 600V 200 ns Through Hole Fast Switching Plastic Rectifier-DO-204AL
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr - 600V
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@2.9A,10V -
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D-Pak DO-41
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -50°C~150°C
连续漏极电流Id 5A -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V -
漏源极电压Vds 200V -
Pd-功率耗散(Max) 43W(Tc) -
反向恢复时间Trr - 200ns
FET类型 N-Channel -
反向漏电流Ir - 5uA
结电容Cj - 12pF@4V,1MHz
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V -
反向峰值电压Vrrm - 600V
正向电压Vf - 1.2V
正向电流If - 1A
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
正向浪涌电流Ifsm - 30A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR220NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
1N4937-E3/54 Vishay  数据手册 整流二极管

DO-41 30A 600V 600V 1A 1.2V 5uA 200ns -50°C~150°C

暂无价格 0 对比
1N4937-E3/54 Vishay  数据手册 整流二极管

DO-41 30A 600V 600V 1A 1.2V 5uA 200ns -50°C~150°C

暂无价格 0 对比
SIHFR220-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.8A(Tc) N-Channel 800 mOhms @ 2.9A,10V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 200V

暂无价格 0 对比

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