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IRF7389TRPBF  与  AO4613_001  区别

型号 IRF7389TRPBF AO4613_001
唯样编号 A-IRF7389TRPBF A-AO4613_001
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N/P-Channel 30/30 V 2.5 W 22/23 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount-SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@5.8A,10V 24 mΩ @ 7.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W 2W
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.3A,5.3A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 15nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7389TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5.8A,10V 2.5W N+P-Channel 30V 7.3A,5.3A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMC3018LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@6.9A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) SOP N+P-Channel 30V 9.1A,6A

暂无价格 0 对比
AO4613_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

N+P-Channel 24 mΩ @ 7.2A,10V 8-SO 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
IRF7389 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 29mΩ@5.8A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) 8-SO

暂无价格 0 对比

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