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IRF4905STRLPBF  与  AOB411L_001  区别

型号 IRF4905STRLPBF AOB411L_001
唯样编号 A-IRF4905STRLPBF A-AOB411L_001
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 55 V 3.8 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@42A,10V 16.5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 187W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-263 TO-263(D?Pak)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 74A 8A(Ta),78A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 100nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
库存与单价
库存 800 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF4905STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@42A,10V P-Channel 55V 74A TO-263

暂无价格 800 当前型号
IRF4905STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 20mΩ@42A,10V P-Channel 55V 74A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB411L_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

8A(Ta),78A(Tc) P-Channel ±20V 16.5 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 187W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比

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