IRF1405STRRPBF 与 SQM110N05-06L_GE3 区别
| 型号 | IRF1405STRRPBF | SQM110N05-06L_GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF1405STRRPBF | A-SQM110N05-06L_GE3 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率 | - | 157W(Tc) | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.3mΩ@101A,10V | 6 毫欧 @ 30A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 55V | 55V | ||
| 产品特性 | - | 车规 | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 200W(Tc) | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 131A | 110A(Tc) | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5480pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 260nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5480pF @ 25V | 4440pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 260nC @ 10V | 110nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF1405STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.3mΩ@101A,10V N-Channel 55V 131A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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SQM110N05-06L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 55V 110A(Tc) ±20V 6 毫欧 @ 30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263(D2Pak) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 车规 |
￥11.5934
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0 | 对比 |
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