AUIRLR2905TRL 与 SQD30N05-20L_GE3 区别
| 型号 | AUIRLR2905TRL | SQD30N05-20L_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AUIRLR2905TRL | A-SQD30N05-20L_GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 27mΩ@25A,10V | 16mΩ |
| 上升时间 | - | 10ns |
| 漏源极电压Vds | 55V | 55V |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W(Tc) | 50W |
| Qg-栅极电荷 | - | 18nC |
| 栅极电压Vgs | ±16V | 1.5V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 18ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 34S |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252 |
| 连续漏极电流Id | 42A(Tc) | 30A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 系列 | - | SQ |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - |
| 下降时间 | - | 5ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 7ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1700pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRLR2905TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 42A(Tc) ±16V 110W(Tc) 27mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SQD30N05-20L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
30A 50W 16mΩ 55V 1.5V TO-252 -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
