AUIRFR3710Z 与 SQD50N10-8M9L_GE3 区别
| 型号 | AUIRFR3710Z | SQD50N10-8M9L_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AUIRFR3710Z | A3-SQD50N10-8M9L_GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 140 W 69 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252-3 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@33A,10V | 8.99mΩ |
| 漏源极电压Vds | 100V | 2V |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) | 136W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 56A | 50A |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 系列 | HEXFET® | SQD |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2930pF @ 25V | 2950pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 10V | 70nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2930pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 6,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AUIRFR3710Z | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A D-Pak 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 50A 8.99mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||
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SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 50A 8.99mΩ 2V 车规 |
￥3.4938
|
0 | 对比 |
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