AUIRF5210STRL 与 SQM40P10-40L_GE3 区别
| 型号 | AUIRF5210STRL | SQM40P10-40L_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AUIRF5210STRL | A-SQM40P10-40L_GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.65mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@38A,10V | 33mΩ |
| 上升时间 | - | 10ns |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 134nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 47S |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 38A | 40A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10.67mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 20ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2780pF @ 25V | 5295pF @ 25V |
| 高度 | - | 4.83mm |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W(Ta),170W(Tc) | 150W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 63ns |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 系列 | HEXFET® | SQ |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2780pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 230nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 10ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 230nC @ 10V | 134nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AUIRF5210STRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRF5210STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3 P-Channel 60mΩ@38A,10V 3.1W(Ta) -55°C~150°C ±20V 100V 38A |
暂无价格 | 800 | 对比 |
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IRF5210STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SQM40P10-40L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 40A 150W 33mΩ 100V 2.5V TO-263-3 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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