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SQM120N06-3M5L_GE3  与  IRFS3107TRLPBF  区别

型号 SQM120N06-3M5L_GE3 IRFS3107TRLPBF
唯样编号 A-SQM120N06-3M5L_GE3 A-IRFS3107TRLPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 75 V 3 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5mΩ@29A,10V 3mΩ@140A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 370W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 230A
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 14700pF @ 25V 9370pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 330nC @ 10V 240nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9370pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 240nC @ 10V
库存与单价
库存 55 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥16.0856
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM120N06-3M5L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) 3.5mΩ@29A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 120A 车规

¥16.0856 

阶梯数 价格
800: ¥16.0856
55 当前型号
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SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 60V 75A

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PSMN004-60B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 60V 75A

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±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK

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±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK

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AUIRF3805S Infineon  数据手册 功率MOSFET

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