SQM120N06-3M5L_GE3 与 IRFS3107TRLPBF 区别
| 型号 | SQM120N06-3M5L_GE3 | IRFS3107TRLPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQM120N06-3M5L_GE3 | A-IRFS3107TRLPBF | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 75 V 3 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.5mΩ@29A,10V | 3mΩ@140A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 75V | ||
| 产品特性 | 车规 | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 375W(Tc) | 370W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | D2PAK | D2PAK | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 120A | 230A | ||
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 14700pF @ 25V | 9370pF @ 50V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 330nC @ 10V | 240nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | 10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 9370pF @ 50V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 240nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 55 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) 3.5mΩ@29A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 120A 车规 |
¥16.0856
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55 | 当前型号 | ||||
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PSMN004-60B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 60V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
PSMN004-60B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 60V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRFS3107TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRFS3107PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AUIRF3805S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 210A 3.3mΩ 300W 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |