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SQM120N06-3M5L_GE3  与  AUIRF3805S  区别

型号 SQM120N06-3M5L_GE3 AUIRF3805S
唯样编号 A-SQM120N06-3M5L_GE3 A-AUIRF3805S
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805S, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 11.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5mΩ@29A,10V 3.3mΩ
产品特性 车规 车规
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 210A
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7960pF
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 93 ns
漏源极电压Vds 60V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 300W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® HEXFET
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 14700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 330nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 150 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 290nC
库存与单价
库存 55 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥16.0856
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM120N06-3M5L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) 3.5mΩ@29A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 120A 车规

¥16.0856 

阶梯数 价格
800: ¥16.0856
55 当前型号
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±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK

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暂无价格 0 对比

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