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PJD25N06A_L2_00001  与  IPD25N06S4L30ATMA1  区别

型号 PJD25N06A_L2_00001 IPD25N06S4L30ATMA1
唯样编号 A-PJD25N06A_L2_00001 A-IPD25N06S4L30ATMA1
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 29W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1220pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 8uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16.3nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 30 毫欧 @ 25A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
通道数 Single -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 25A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 40mΩ@4.5V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJD25N06A_L2_00001 Panjit  数据手册 功率MOSFET

TO-252AA 20V N-Channel

暂无价格 0 当前型号
IRLR2705TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@17A,10V N-Channel 55V 28A D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD350N06LGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD350N06L G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD25N06S4L-30_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD350N06L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD350N06LGBTMA1_60V 29A 35mΩ@29A,10V 10V 68W N-Channel -55°C~175°C TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD25N06S4L30ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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