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PJD25N06A_L2_00001  与  IPD350N06L G  区别

型号 PJD25N06A_L2_00001 IPD350N06L G
唯样编号 A-PJD25N06A_L2_00001 A-IPD350N06L G
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 35mΩ@29A,10V
上升时间 - 21ns
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 68W
Qg-栅极电荷 - 10nC
栅极电压Vgs 20V 10V
典型关闭延迟时间 - 29ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252AA TO-252-3
连续漏极电流Id - 29A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS2
长度 - 6.5mm
通道数 Single -
Rds On(max)@Id,Vgs 40mΩ@4.5V -
下降时间 - 20ns
典型接通延迟时间 - 6ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJD25N06A_L2_00001 Panjit  数据手册 功率MOSFET

TO-252AA 20V N-Channel

暂无价格 0 当前型号
IRLR2705TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@17A,10V N-Channel 55V 28A D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD350N06L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD350N06LGBTMA1_60V 29A 35mΩ@29A,10V 10V 68W N-Channel -55°C~175°C TO-252-3

暂无价格 0 对比

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