首页 > 商品目录 > > > DMN6075SQ-13代替型号比较

DMN6075SQ-13  与  DMN6075S-13  区别

型号 DMN6075SQ-13 DMN6075S-13
唯样编号 B-DMN6075SQ-13-2 A36-DMN6075S-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 未分类 小信号MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 60 V 2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 2A(Ta)
驱动电压 - 4.5V,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 800mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 85mΩ@3.2A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 606 pF @ 20 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 12.3 nC @ 10 V
库存与单价
库存 40,000 12,281
工厂交货期 21 - 42天 3 - 15天
单价(含税)
10,000+ :  ¥0.9648
20,000+ :  ¥0.9492
30,000+ :  ¥0.9409
40,000+ :  ¥0.9349
50,000+ :  ¥0.9158
80+ :  ¥0.6853
100+ :  ¥0.5577
500+ :  ¥0.5083
2,500+ :  ¥0.4706
5,000+ :  ¥0.4394
10,000+ :  ¥0.403
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6075SQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 未分类

¥0.9648 

阶梯数 价格
10,000: ¥0.9648
20,000: ¥0.9492
30,000: ¥0.9409
40,000: ¥0.9349
50,000: ¥0.9158
40,000 当前型号
DMN6075S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A

¥0.6097 

阶梯数 价格
90: ¥0.6097
200: ¥0.3939
1,500: ¥0.3419
3,000: ¥0.3029
19,470 对比
DMN6075S-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 800mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 2A(Ta)

¥0.6853 

阶梯数 价格
80: ¥0.6853
100: ¥0.5577
500: ¥0.5083
2,500: ¥0.4706
5,000: ¥0.4394
10,000: ¥0.403
12,281 对比
DMN6075SQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

¥0.8415 

阶梯数 价格
60: ¥0.8415
200: ¥0.5808
3,000 对比
DMN6075S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A

暂无价格 0 对比
DMN6075S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售