RUR040N02TL 与 DMN2075U-7 区别
| 型号 | RUR040N02TL | DMN2075U-7 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3x-RUR040N02TL | A36-DMN2075U-7 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35mΩ@4A,4.5V | 25mΩ | ||||||||||
| 上升时间 | - | 9.8ns | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | 800mW | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±10V | 8V | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 28.1ns | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | SC-96 | SOT-23 | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A(Ta) | 4.2A | ||||||||||
| 系列 | - | DMN2075 | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 594.3pF @ 10V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 7nC @ 4.5V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | 2.5V,4.5V | ||||||||||
| 下降时间 | - | 6.7ns | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 7.4ns | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.3V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 15,000 | 20,444 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥0.88
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15,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3416 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 6.5A 1.4W 22mΩ@6.5A,4.5V -55°C~150°C |
￥0.7876
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26,785 | 对比 | ||||||||||||
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AO3414 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C |
￥0.6424
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25,958 | 对比 | ||||||||||||
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DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 800mW 25mΩ 20V 8V |
￥0.4537
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20,444 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 950mW(Ta) 60mΩ@2.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4A |
￥0.7144
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6,598 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN2B14FHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1W(Ta) 55mΩ@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.3A |
￥2.1599
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4,430 | 对比 |
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