RF4E070BNTR 与 PMPB100ENEX 区别
| 型号 | RF4E070BNTR | PMPB100ENEX |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3x-RF4E070BNTR | A-PMPB100ENEX |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2 | MOSFET DFN2020MD-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28.6mΩ@7A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 2W |
| 输出电容 | - | 34pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V,1.5V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HUML2020L8 | SOT1220 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 175°C |
| 连续漏极电流Id | 7A | 5.1A |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 410pF @ 15V | - |
| 输入电容 | - | 157pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.9nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RF4E070BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 2 | 对比 |
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
SOT833 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BUK6D72-30EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 15W 175°C 1.5V,20V 30V 11A 车规 |
暂无价格 | 80 | 对比 |
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PMPB100ENEX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 2W 175°C 20V,1.5V 30V 5.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |