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RF4E070BNTR  与  PMPB100ENEX  区别

型号 RF4E070BNTR PMPB100ENEX
唯样编号 A3x-RF4E070BNTR A-PMPB100ENEX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2 MOSFET DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 28.6mΩ@7A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2W
输出电容 - 34pF
栅极电压Vgs ±20V 20V,1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HUML2020L8 SOT1220
工作温度 150°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 7A 5.1A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 410pF @ 15V -
输入电容 - 157pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.9nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V
库存与单价
库存 12,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
580+ :  ¥1.3656
1,000+ :  ¥1.0586
1,500+ :  ¥0.8677
3,000+ :  ¥0.7817
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1,000: ¥1.0586
1,500: ¥0.8677
3,000: ¥0.7817
0 对比

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