R6020KNJTL 与 STB20N65M5 区别
| 型号 | R6020KNJTL | STB20N65M5 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3x-R6020KNJTL | A3-STB20N65M5 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 231W(Tc) | - | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3 | ||
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1550pF @ 25V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 196mΩ@9.5A,10V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 27,000 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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R6020KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥6.4022
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0 | 当前型号 | ||||||
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STB20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 27,000 | 对比 | ||||||
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STB27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||
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STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
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STB20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥12.948
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998 | 对比 | ||||||
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AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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