BA4580YF-MGE2 与 TL082QDRQ1 区别
| 型号 | BA4580YF-MGE2 | TL082QDRQ1 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3x-BA4580YF-MGE2 | A36-TL082QDRQ1 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | TI | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 运算放大器 | 运算放大器 | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Vcm - 共模电压 | ±13.5V | - | ||||||||||
| 电压 - 电源，单/双（±） | - | 7 V ~ 36 V,±3.5 V ~ 18 V | ||||||||||
| Ios - 输入偏置电流 | 5nA | - | ||||||||||
| 放大器类型 | LowNoiseAmplifier | J-FET | ||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||
| 压摆率 | - | 13 V/µs | ||||||||||
| 电流 - 电源 | - | 1.4mA | ||||||||||
| 关闭 | No Shutdown | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOP8 | 8-SOIC | ||||||||||
| 工作温度 | -40°C~105°C | -40°C~125°C | ||||||||||
| Ib - 输入偏流 | 100 nA | - | ||||||||||
| 电源电压-最小 | 4 V | - | ||||||||||
| 工作电源电流(mA) | 6mA | - | ||||||||||
| 电路数 | - | 2 | ||||||||||
| CMRR - 共模抑制比 | 110 dB | - | ||||||||||
| GBP-增益带宽产品 | 10 MHz | - | ||||||||||
| THD + 噪声 | 0.0005% | - | ||||||||||
| Vos - 输入偏置电压 | 0.3 mV | - | ||||||||||
| en - 输入电压噪声密度 | 5nV/sqrtHz | - | ||||||||||
| 每个通道的输出电流 | 50 mA | - | ||||||||||
| 电压 - 输入失调 | - | 3mV | ||||||||||
| SR - 转换速率 | 5 V/us | - | ||||||||||
| 通道数量 | 2 Channel | - | ||||||||||
| PSRR - 电源抑制比 | 110dB | - | ||||||||||
| 最大双重电源电压 | ±16V | - | ||||||||||
| 电流 - 输入偏置 | - | 30pA | ||||||||||
| 最小双重电源电压 | ±2V | - | ||||||||||
| 电源电压-最大 | 32 V | - | ||||||||||
| 增益带宽积 | - | 3MHz | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 4,587 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BA4580YF-MGE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
SOP8 |
￥0.9867
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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TL082QDRQ1 | TI | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC 车规 |
￥2.688
|
4,587 | 对比 |
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