STP10N60M2 与 SPP11N80C3 区别
| 型号 | STP10N60M2 | SPP11N80C3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3w-STP10N60M2 | A36-SPP11N80C3 | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | 通孔 N 通道 600 V 7.5A（Tc） 85W（Tc） TO-220 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 156W | ||||||||
| 宽度 | - | 4.4mm | ||||||||
| 上升时间 | - | 15ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 64nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 10V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 72ns | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | PG-TO220-3 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 11A | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 系列 | - | CoolMOSC3 | ||||||||
| 长度 | - | 10mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 10ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 25ns | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 450mΩ | ||||||||
| 高度 | - | 15.65mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 499 | 20 | ||||||||
| 工厂交货期 | 14 - 21天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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STP10N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥8.9496
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499 | 当前型号 | ||||||
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SPP11N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A 450mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C PG-TO220-3 |
￥17.208
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20 | 对比 | ||||||
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SPP11N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A 450mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SPP07N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
83W 600mΩ 600V 7.3A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AOT12N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 12A(Tc) ±30V 550mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO220 278W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SIHP7N60E | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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