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STP10N60M2  与  SPP11N80C3  区别

型号 STP10N60M2 SPP11N80C3
唯样编号 A3w-STP10N60M2 A-SPP11N80C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 通孔 N 通道 600 V 7.5A(Tc) 85W(Tc) TO-220
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 156W
宽度 - 4.4mm
上升时间 - 15ns
漏源极电压Vds - 800V
Qg-栅极电荷 - 64nC
栅极电压Vgs - 10V
典型关闭延迟时间 - 72ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 PG-TO220-3
连续漏极电流Id - 11A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC3
长度 - 10mm
下降时间 - 10ns
典型接通延迟时间 - 25ns
导通电阻Rds(On) - 450mΩ
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 499 0
工厂交货期 14 - 21天 56 - 70天
单价(含税)
150+ :  ¥8.9496
300+ :  ¥8.5767
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP10N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥8.9496 

阶梯数 价格
150: ¥8.9496
300: ¥8.5767
499 当前型号
SPP11N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

800V 11A 450mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C PG-TO220-3

¥17.208 

阶梯数 价格
3: ¥17.208
10: ¥14.832
20 对比
SPP11N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

800V 11A 450mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C PG-TO220-3

暂无价格 0 对比
SPP07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

83W 600mΩ 600V 7.3A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOT12N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 12A(Tc) ±30V 550mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO220 278W

暂无价格 0 对比
SIHP7N60E Vishay 未分类

暂无价格 0 对比

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