STP10N60M2 与 AOT12N60 区别
| 型号 | STP10N60M2 | AOT12N60 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3w-STP10N60M2 | A-AOT12N60 | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | 通孔 N 通道 600 V 7.5A（Tc） 85W（Tc） TO-220 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 278W | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO220 | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 12A(Tc) | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2100pF | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 550mΩ@6A,10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 499 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 14 - 21天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP10N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥8.9496
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499 | 当前型号 | ||||||
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SPP11N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A 450mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C PG-TO220-3 |
￥17.208
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20 | 对比 | ||||||
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SPP11N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A 450mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SPP07N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
83W 600mΩ 600V 7.3A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AOT12N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 12A(Tc) ±30V 550mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO220 278W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SIHP7N60E | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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