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SIR104DP-T1-RE3  与  RS6P100BHTB1  区别

型号 SIR104DP-T1-RE3 RS6P100BHTB1
唯样编号 A3w-SIR104DP-T1-RE3 A33-RS6P100BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 HSOP8 (Single)
功率耗散Pd 5.4W(Ta),100W(Tc) 104W
连续漏极电流Id 18.3A(Ta),79A(Tc) 100A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
漏源极电压Vds 100V 100V
Vgs(最大值) ±20V -
导通电阻Rds(On) 6.4 mOhms @ 15A,10V 5.9mΩ@90A,10V
Vgs(th) 3.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 3,459 1,132
工厂交货期 14 - 21天 28 - 35天
单价(含税)
3,000+ :  ¥12.5046
10+ :  ¥15.8589
30+ :  ¥11.8822
50+ :  ¥11.0869
100+ :  ¥10.4832
300+ :  ¥10.0903
500+ :  ¥10.0137
1,000+ :  ¥9.9466
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR104DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

18.3A(Ta),79A(Tc) N-Channel 6.4 mOhms @ 15A,10V 5.4W(Ta),100W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V

¥12.5046 

阶梯数 价格
3,000: ¥12.5046
3,459 当前型号
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥14.1094 

阶梯数 价格
100: ¥14.1094
500: ¥13.1118
1,000: ¥12.043
2,280 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥15.8589 

阶梯数 价格
10: ¥15.8589
30: ¥11.8822
50: ¥11.0869
100: ¥10.4832
300: ¥10.0903
500: ¥10.0137
1,000: ¥9.9466
1,132 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥24.2322 

阶梯数 价格
1: ¥24.2322
10: ¥21.6358
25: ¥19.3178
50: ¥17.248
100: ¥15.4
100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

暂无价格 50 对比

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