SIR104DP-T1-RE3 与 RS6P100BHTB1 区别
| 型号 | SIR104DP-T1-RE3 | RS6P100BHTB1 | ||
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| 唯样编号 | A3w-SIR104DP-T1-RE3 | A3-RS6P100BHTB1 | ||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | HSOP8 (Single) | ||
| 功率耗散Pd | 5.4W(Ta),100W(Tc) | 104W | ||
| 连续漏极电流Id | 18.3A(Ta),79A(Tc) | 100A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 6.4 mOhms @ 15A,10V | 5.9mΩ@90A,10V | ||
| Vgs(th) | 3.5V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 3,459 | 50 | ||
| 工厂交货期 | 14 - 21天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SIR104DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Ta),79A(Tc) N-Channel 6.4 mOhms @ 15A,10V 5.4W(Ta),100W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
￥12.5046
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3,459 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥14.1094
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2,280 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥15.8589
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1,132 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥24.2322
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100 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
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97 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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