XT9M20ANA20M 与 IRF7341PBF 区别
| 型号 | XT9M20ANA20M | IRF7341PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-XT9M20ANA20M | A-IRF7341PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 55 V 2 W 24 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | - | 8-SO |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 4.7A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 50mΩ@4.7A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 740pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 10V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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XT9M20ANA20M | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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IRF7341PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
50mΩ@4.7A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 4.7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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