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VO4256M  与  IRF7424PBF  区别

型号 VO4256M IRF7424PBF
唯样编号 A3t-VO4256M A-IRF7424PBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 可控硅光耦合器 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-通态(It(RMS))(最大值) 300mA -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.5mΩ@11A,10V
电流-LED触发(Ift)(最大值) 3mA -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
电压-隔离 5300Vrms -
过零电路 -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 6-DIP(0.300"",7.62mm) 8-SO
输出类型 Triac -
工作温度 -55°C~100°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
认证机构 cUR,FIMKO,UR -
静态dV/dt(最小值) 5kV/us -
通道数 1 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
电压-正向(Vf)(典型值) 1.2V -
电压-断态 600V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4030pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
电流-DC正向(If)(最大值) 60mA -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
VO4256M Vishay  数据手册 可控硅光耦合器

暂无价格 0 当前型号
VO4254M Vishay  数据手册 可控硅光耦合器

暂无价格 0 对比
IRF7424PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

13.5mΩ@11A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 11A 8-SO

暂无价格 0 对比

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