TR3C475M025C0525 与 DMN2075UDW-7 区别
| 型号 | TR3C475M025C0525 | DMN2075UDW-7 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TR3C475M025C0525 | A36-DMN2075UDW-7 | ||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 贴片钽电容 | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | TR3 Series 4.7uF ±20 % 25 V Surface Mount Molded Low ESR Tantalum Capacitor | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 产品特性 | 固体MnO2 | - | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 500mW(Ta) | ||||
| 容值 | 4.7uF | - | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 48mΩ@3A,4.5V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 594.3 pF @ 10 V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±8V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 7 nC @ 4.5 V | ||||
| 封装/外壳 | 2312 | SOT-363 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.8A(Ta) | ||||
| 驱动电压 | - | 1.5V,4.5V | ||||
| 偏差 | ±20% | - | ||||
| 电压 | 25V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TR3C475M025C0525 | Vishay | 数据手册 | 贴片钽电容 |
±20% 2312 25V 4.7uF 固体MnO2 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 500mW(Ta) ±8V SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 20V 2.8A(Ta) |
￥0.8602
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3,000 | 对比 | ||||||
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DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 500mW(Ta) ±8V SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 20V 2.8A(Ta) |
￥0.6243
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319 | 对比 | ||||||
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DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 500mW(Ta) ±8V SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 20V 2.8A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 500mW(Ta) ±8V SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 20V 2.8A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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T494C475M020AT | KEMET | 数据手册 | 贴片钽电容 |
600m Ohms ±20% 20V 4.7uF 2412/6032-28 固体MnO2 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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