TPH3300CNH,L1Q 与 SI7738DP-T1-GE3 区别
| 型号 | TPH3300CNH,L1Q | SI7738DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TPH3300CNH,L1Q | A-SI7738DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 38mΩ |
| 漏源极电压Vds | 150 V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.6W(Ta),57W(Tc) | 5.4W(Ta),96W(Tc) |
| 产品状态 | 在售 | - |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 33 毫欧 @ 9A,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1100 pF @ 75 V | - |
| Vgs(th) | 4V @ 300uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 10.6 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | 8-SOP Advance(5x5) | SOIC-8 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 18A(Ta) | 7.7A |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2100pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 53nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPH3300CNH,L1Q | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.6W(Ta),57W(Tc) 8-SOP Advance(5x5) 150°C(TJ) 150 V 18A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5.4W(Ta),96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 7.7A 38mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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