TPC8124 与 SI4401DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | TPC8124 | SI4401DDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TPC8124 | A-SI4401DDY-T1-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Toshiba TPC 系列 Si P沟道 MOSFET TPC8124, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP封装 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1.9 W | - |
| 宽度 | 4.4mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10 m0hms | 15mΩ |
| 上升时间 | - | 11ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 64nC |
| 引脚数目 | 8 | - |
| 栅极电压Vgs | -25 V,+20 V | 1.2V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 37S |
| 封装/外壳 | 5.0*4.4*1.5mm | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 12 A | 16.1A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | 5mm | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 9ns |
| 高度 | 1.50mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 390 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 4750 pF @ -10 V | 40V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 6.3W |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 45ns |
| FET类型 | 增强 | - |
| 系列 | TPC | SI4 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3007pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 95nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | 13ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 24 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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