TK56E12N1 与 SUP80090E-GE3 区别
| 型号 | TK56E12N1 | SUP80090E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TK56E12N1 | A-SUP80090E-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK56E12N1, 112 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 168 W | - |
| 宽度 | 4.45mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7 m0hms | 9.4m Ohms@30A,10V |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | ±20V |
| 封装/外壳 | 10.16*4.45*15.1mm | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 112 A | 128A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 长度 | 10.16mm | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 7.5V,10V |
| 高度 | 15.1mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 73 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 4200 pF @ 60 V | 150V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 375W(Tc) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | 增强 | N-Channel |
| 系列 | TK | ThunderFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3425pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 95nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 45 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TK56E12N1 | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SUP80090E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 128A(Tc) ±20V 375W(Tc) 9.4m Ohms@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 150V 128A |
暂无价格 | 5 | 对比 |
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SUP80090E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 128A(Tc) ±20V 375W(Tc) 9.4m Ohms@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 150V 128A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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