TK31E60W 与 SIHP33N60E-GE3 区别
| 型号 | TK31E60W | SIHP33N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TK31E60W | A3t-SIHP33N60E-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 278 W 99 mO 150 nC Flange Mount Power MOSFET - TO-220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.7mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 99mΩ |
| 上升时间 | - | 60ns |
| 漏极-源极电压 | 600V | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 100nC |
| 栅极电压Vgs | - | 4V |
| 封装/外壳 | TO220AB | TO-220-3 |
| 栅极-源极电压 | ±30V | - |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 33A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10.41mm |
| 安装 | THT | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 54ns |
| 包装类型 | 管 | - |
| 高度 | - | 15.49mm |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 278W |
| 开启状态电阻 | 73m Ohms | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 99ns |
| FET类型 | N-MOSFET | - |
| 漏极电流 | 30.8A | - |
| 耗电 | 230W | - |
| 系列 | - | E |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3508pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 150nC @ 10V |
| 极化 | 单极 | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 28ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
