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TK31E60W  与  SIHP33N60E-E3  区别

型号 TK31E60W SIHP33N60E-E3
唯样编号 A3t-TK31E60W A3t-SIHP33N60E-E3
制造商 Toshiba Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO220AB -
漏极电流 30.8A -
耗电 230W -
栅极-源极电压 ±30V -
漏极-源极电压 600V -
安装 THT -
极化 单极 -
开启状态电阻 73m Ohms -
包装类型 -
FET类型 N-MOSFET -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
TK31E60W Toshiba 未分类

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SIHP33N60E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 33A 278W 99mΩ 600V 4V

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SIHP33N60E-E3 Vishay 未分类

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