TK22E10N1 与 SUP70090E-GE3 区别
| 型号 | TK22E10N1 | SUP70090E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TK22E10N1 | A-SUP70090E-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK22E10N1, 52 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装 | N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 72W | - |
| 宽度 | 4.45mm | - |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | ±20V |
| 封装/外壳 | 10.16*4.45*15.1mm | TO-220AB-3 |
| 连续漏极电流Id | 52 A | 50A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 长度 | 10.16mm | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 7.5V,10V |
| 导通电阻Rds(On) | 13.8 m0hms | 7.4mΩ |
| 高度 | 15.1mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 38 ns | - |
| 功率耗散Pd | - | 125W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 1800 pF @ 50 V | 2V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | 增强 | N-Channel |
| 系列 | TK | ThunderFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1950pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 27 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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