TK16G60W 与 SIHB22N60E-GE3 区别
| 型号 | TK16G60W | SIHB22N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TK16G60W | A-SIHB22N60E-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Toshiba N沟道 MOSFET TK16G60W, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装 | E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 130W | - |
| 宽度 | 10.27mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190 m0hms | 180mΩ@11A,10V |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 最小栅阈值电压 | 2.7V | - |
| 栅极电压Vgs | ±30 V | ±30V |
| 封装/外壳 | 10.35*10.27*4.46mm | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 15.8 A | 21A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 长度 | 10.35mm | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 正向二极管电压 | 1.7V | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 高度 | 4.46mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 100 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 1350 pF @ 300 V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 227W(Tc) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | 增强 | N-Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1920pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 86nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 50 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TK16G60W | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SIHB22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) 180mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK N-Channel 600V 21A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHB22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) 180mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK N-Channel 600V 21A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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