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SiHP25N40D-GE3  与  FDP26N40-ND  区别

型号 SiHP25N40D-GE3 FDP26N40-ND
唯样编号 A3t-SiHP25N40D-GE3 A3t-FDP26N40-ND
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 25A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 170 mOhms @ 13A,10V -
漏源极电压Vds 400V -
Pd-功率耗散(Max) 278W(Tc) -
Vgs(最大值) ±30V -
Vgs(th) 5V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SiHP25N40D-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

25A(Tc) N-Channel 170 mOhms @ 13A,10V 278W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 400V

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FDP26N40-ND ON Semiconductor 未分类

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