SiHD5N50D-GE3 与 FDD5N50NZTM 区别
| 型号 | SiHD5N50D-GE3 | FDD5N50NZTM | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SiHD5N50D-GE3 | A36-FDD5N50NZTM | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single N-Channel 500 V 1.5 Ohm 12 nC 62 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 104W(Tc) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 5.3A(Tc) | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 500V | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 1.5 Ohms @ 2.5A,10V | - | ||||||||
| Vgs(th) | 5V @ 250uA | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 5,400 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SiHD5N50D-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.3A(Tc) N-Channel 1.5 Ohms @ 2.5A,10V 104W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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FDD5N50NZTM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.3
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5,400 | 对比 | ||||||||||
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STD5NK50ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥2.316
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66 | 对比 | ||||||||||
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IRF830S | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDD6N50TM_WS | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
6A(Tc) ±30V 89W(Tc) 900m Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 500V 6A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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NDD05N50ZT4G | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4.7A(Tc) ±30V 83W(Tc) 1.5Ω@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 500V 4.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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