SiHD5N50D-GE3 与 IRFR812TRPBF 区别
| 型号 | SiHD5N50D-GE3 | IRFR812TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SiHD5N50D-GE3 | A-IRFR812TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 500 V 78 W 135 nC Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.5 Ohms @ 2.5A,10V | 2.2Ω@2.2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 500V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W(Tc) | 78W(Tc) |
| Vgs(th) | 5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak |
| 连续漏极电流Id | 5.3A(Tc) | 3.6A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 810pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SiHD5N50D-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.3A(Tc) N-Channel 1.5 Ohms @ 2.5A,10V 104W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
STD5NK50ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 27,500 | 对比 | ||||
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|
STD5NK50ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥2.717
|
76 | 对比 | ||||
|
IRF830S | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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|
STD5NK50ZT4-ST | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFR812TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 78W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 2.2Ω@2.2A,10V N-Channel 500V 3.6A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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