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SZESD9X3.3ST5G  与  VESD03A1C-HD1-GS08  区别

型号 SZESD9X3.3ST5G VESD03A1C-HD1-GS08
唯样编号 A3t-SZESD9X3.3ST5G A-VESD03A1C-HD1-GS08
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 TVS二极管
描述 ESD PROTECTION DIODE LLP1006-e4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOD-923 LLP1006
箝位电压VCL(max) 10.4V -
峰值脉冲电流Ipp 9.8A(8/20µs) -
不同频率时的电容 80pF @ 1MHz -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
反向对峙电压VRWM 3.3V(最大) -
击穿电压VBR(min) 5V -
功率 - 峰值脉冲 102W -
电源线路保护 -
单向通道 1 Ohms -
FET类型 齐纳 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SZESD9X3.3ST5G ON Semiconductor 未分类

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VESD03A1C-HD1-GS08 Vishay  数据手册 TVS二极管

LLP1006

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