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SUP90N04-3M3P-GE3  与  IRFB7440PBF  区别

型号 SUP90N04-3M3P-GE3 IRFB7440PBF
唯样编号 A3t-SUP90N04-3M3P-GE3 A-IRFB7440PBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 143 W HEXFET Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3 mOhms @ 22A,10V 2.5mΩ
Qg-栅极电荷 - 135nC
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
连续漏极电流Id 90A(Tc) 120A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~175°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 10mm
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4730pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),125W(Tc) 208W
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4730pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 135nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 135nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUP90N04-3M3P-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

90A(Tc) N-Channel 3.3 mOhms @ 22A,10V 3.1W(Ta),125W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 40V

暂无价格 0 当前型号
IRFB7440PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 40V 120A 2.5mΩ 20V 208W

暂无价格 0 对比
IRF1404ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.7mΩ@75A,10V N-Channel 40V 190A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRF2804PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.3mΩ@75A,10V N-Channel 40V 280A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRF1104PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@60A,10V N-Channel 40V 100A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFB7446PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB N-Channel 40V 123A 3.3mΩ 20V 99W

暂无价格 0 对比

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