SUP90N03-03-E3 与 FDP8860 区别
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规格信息
型号	SUP90N03-03-E3	FDP8860
唯样编号	A3t-SUP90N03-03-E3	A3t-FDP8860
制造商	Vishay	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	通用MOSFET
描述		N-Channel 30 V 2.5 mOhm PowerTrench Mosfet - TO-220
数据表	sup90n03.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	254W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.9 mOhms @ 28.8A,10V	2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	3.75W(Ta),250W(Tc)	254W(Tc)
Vgs(th)	2.5V @ 250uA	-
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	-	10V
栅极电压Vgs	-	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220-3	TO-220-3
连续漏极电流Id	90A(Tc)	80A(Tc)
工作温度	-55°C~175°C	-55°C~175°C(TJ)
系列	-	PowerTrench®
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	-	15V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	12240pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	222nC @ 10V
Vgs(最大值)	±20V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	12240pF
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	222nC
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
SUP90N03-03-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	90A(Tc) N-Channel 2.9 mOhms @ 28.8A,10V 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 30V	暂无价格	0	当前型号
IRLB8748PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.8mΩ@40A,10V N-Channel 30V 92A TO-220AB	暂无价格	1,000	对比
PSMN1R8-30PL,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 270W 175°C 1.7V 30V 100A	暂无价格	0	对比
PSMN1R8-30PL	Nexperia		通用MOSFET	N-Channel	暂无价格	0	对比
FDP8860	ON Semiconductor		通用MOSFET	254W(Tc) 2.5m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 80A N-Channel 30V 80A(Tc) ±20V 2.5 毫欧 @ 80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3	暂无价格	0	对比
IRL3713PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@38A,10V N-Channel 30V 260A TO-220AB	暂无价格	0	对比