SUP80090E-GE3 与 TK56E12N1 区别
| 型号 | SUP80090E-GE3 | TK56E12N1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUP80090E-GE3 | A3t-TK56E12N1 |
| 制造商 | Vishay | Toshiba |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK56E12N1, 112 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 168 W |
| 宽度 | - | 4.45mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.4m Ohms@30A,10V | 7 m0hms |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 10.16*4.45*15.1mm |
| 连续漏极电流Id | 128A | 112 A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 长度 | - | 10.16mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 7.5V,10V | - |
| 最高工作温度 | - | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 高度 | - | 15.1mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 73 ns |
| 漏源极电压Vds | 150V | 4200 pF @ 60 V |
| 晶体管材料 | - | Si |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W(Tc) | - |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | N-Channel | 增强 |
| 系列 | ThunderFET® | TK |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3425pF @ 75V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 45 ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUP80090E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 128A(Tc) ±20V 375W(Tc) 9.4m Ohms@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 150V 128A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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TK56E12N1 | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
83A(Tc) ±20V 294W(Tc) 8.3m Ohms@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 150V 105A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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FDP083N15A | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IPP075N15N3G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |
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IRFB4115PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 380W(Tc) 11mΩ@62A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 104A 150V TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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