SUP60030E-GE3 与 IRFB3207ZPBF 区别
| 型号 | SUP60030E-GE3 | IRFB3207ZPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUP60030E-GE3 | A-IRFB3207ZPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET | N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.4 mOhms @ 30A,10V | 4.1mΩ@75A,10V |
| 漏源极电压Vds | 80V | 75V |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W(Tc) | 300W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 连续漏极电流Id | 120A(Tc) | 170A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 50V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6920pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 170nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6920pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 170nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP60030E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 3.4 mOhms @ 30A,10V 375W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 80V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IPP028N08N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
80V 100A 2.8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 500 | 对比 |
|
STP140NF75 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A |
暂无价格 | 5,400 | 对比 |
|
IRFB3077PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) 3.3mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 210A 75V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
IRFB7540PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.1mΩ@65A,10V N-Channel 60V 110A TO-220 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
|
IRFB3207ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) 4.1mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 170A 75V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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