SUP50N03-5M1P-GE3 与 IRL8113PBF 区别
| 型号 | SUP50N03-5M1P-GE3 | IRL8113PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUP50N03-5M1P-GE3 | A-IRL8113PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 110 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.1 mOhms @ 22A,10V | 6mΩ@21A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.7W(Ta),59.5W(Tc) | 110W(Tc) |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 连续漏极电流Id | 50A(Tc) | 105A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2840pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 4.5V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.25V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2840pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP50N03-5M1P-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 5.1 mOhms @ 22A,10V 2.7W(Ta),59.5W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
FDP8896_NL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
IRL8113PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@21A,10V N-Channel 30V 105A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SPP80N03S2L-05 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 80A 5.2mΩ 20V 167W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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