SUP10250E-GE3 与 IRFB4229PBF 区别
| 型号 | SUP10250E-GE3 | IRFB4229PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUP10250E-GE3 | A-IRFB4229PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 250 V 330 W 72 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 46mΩ@26A,10V |
| 漏源极电压Vds | 250V | 250V |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W(Tc) | 330W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 连续漏极电流Id | 63A(Tc) | 46A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -40°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP10250E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
63A(Tc) N-Channel 375W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 250V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFB4229PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 330W(Tc) 46mΩ@26A,10V -40°C~175°C(TJ) N-Channel 46A 250V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
