SUM90N04-3M3P-E3 与 FDB8870 区别
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规格信息
型号	SUM90N04-3M3P-E3	FDB8870
唯样编号	A3t-SUM90N04-3M3P-E3	A3t-FDB8870
制造商	Vishay	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 40 V 0.0033 O 87 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
数据表	SUM90N04-3M3P-E3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	不符合RoHs
功率	-	160W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.7mΩ	3.9 毫欧 @ 35A,10V
漏源极电压Vds	2.5V	30V
Pd-功率耗散(Max)	3.1W(Ta),125W(Tc)	160W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-252	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	90A	23A(Ta),160A(Tc)
系列	TrenchFET®	PowerTrench®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	5286pF @ 20V	5200pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	131nC @ 10V	132nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	5200pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	132nC @ 10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
SUM90N04-3M3P-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.1W(Ta),125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-252 N-Channel 90A 2.7mΩ 2.5V	暂无价格	当前型号
FDB8443_F085	ON Semiconductor		未分类		暂无价格	对比
IRL1404STRLPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@95A,10V N-Channel 40V 160A D2PAK	暂无价格	对比
FDB8030L	ON Semiconductor		通用MOSFET	187W(Tc) 3.5m Ohms@80A,10V -65°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK 80A N-Channel 30V 80A(Ta) ±20V 3.5 毫欧 @ 80A,10V -65°C~175°C(TJ) TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB	暂无价格	对比
FDB8870	ON Semiconductor		功率MOSFET	160W(Tc) 3.9m Ohms@35A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK 23A N-Channel 30V 23A(Ta),160A(Tc) ±20V 3.9 毫欧 @ 35A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB	暂无价格	对比
IRF4104SPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.5mΩ@75A,10V N-Channel 40V 120A D2PAK	暂无价格	对比