首页 > 商品目录 > > > > SUM85N15-19-E3代替型号比较

SUM85N15-19-E3  与  IRFS4321PBF  区别

型号 SUM85N15-19-E3 IRFS4321PBF
唯样编号 A3t-SUM85N15-19-E3 A-IRFS4321PBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 0.019 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263-3 Single N-Channel 150 V 330 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 19 mOhms @ 30A,10V 15mΩ@33A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),375W(Tc) 350W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB D2PAK
连续漏极电流Id 85A(Tc) 83A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4460pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4460pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM85N15-19-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

85A(Tc) N-Channel 19 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 150V

暂无价格 0 当前型号
IRFS4321TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3 N-Channel 350W 15mΩ@33A,10V -55°C~175°C ±30V 150V 85A

暂无价格 800 对比
IRFS4321PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 350W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@33A,10V N-Channel 150V 83A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4321TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 85A(Tc) ±20V 350W(Tc) 15mΩ@33A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4115TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12.1mΩ@62A,10V N-Channel 150V 195A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4115PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12.1mΩ@62A,10V N-Channel 150V 195A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售