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SUM70060E-GE3  与  IRFS4310TRLPBF  区别

型号 SUM70060E-GE3 IRFS4310TRLPBF
唯样编号 A3t-SUM70060E-GE3 A-IRFS4310TRLPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET Single N-Channel 100 V 300 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.6 mOhms @ 30A,10V 7mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 300W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB D2PAK
连续漏极电流Id 131A(Tc) 130A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7670pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7670pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM70060E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

131A(Tc) N-Channel 5.6 mOhms @ 30A,10V 375W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 100V

暂无价格 0 当前型号
AOB2906 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 187W 5.9mΩ@20A,10V ±20V 100V -55°C~175°C

暂无价格 775 对比
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRFS4310TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 44A 7mΩ 20V 300W N-Channel TO-263-3 100V 车规

暂无价格 0 对比
AOB410L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 25V 150A 333W 6.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
PSMN015-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 75A

暂无价格 0 对比

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