SUM65N20-30-E3 与 IRFS4227TRLPBF 区别
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规格信息
型号	SUM65N20-30-E3	IRFS4227TRLPBF
唯样编号	A3t-SUM65N20-30-E3	A-IRFS4227TRLPBF
制造商	Vishay	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	MOSFET	MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
数据表	SUM65N20-30-E3.pdf	IRFS4227TRLPBF.pdf IRFS4227TRLPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
零件号别名	SUM65N20-30	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	30mΩ@30A,10V	26mΩ@46A,10V
漏源极电压Vds	200V	200V
Pd-功率耗散(Max)	3.75W(Ta),375W(Tc)	330W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±30V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	-	10V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	D2PAK	TO-263-3
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-40°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	65A	62A
系列	SUM	HEXFET®
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	-	25V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	5100pF @ 25V	4600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	130nC @ 10V	98nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	4600pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	98nC @ 10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
SUM65N20-30-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A	暂无价格	当前型号
IRFS4227PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 26mΩ@46A,10V N-Channel 200V 62A D2PAK	暂无价格	对比
IRFS38N20DPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK	暂无价格	对比
NTB30N20T4G	ON Semiconductor		未分类		暂无价格	对比
IRFS4227TRLPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 26mΩ@46A,10V N-Channel 200V 62A TO-263-3	暂无价格	对比
FQB19N20CTM	ON Semiconductor		通用MOSFET	3.13W(Ta),139W(Tc) 170m Ohms@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK 19A N-Channel 200V 19A(Tc) ±30V 170 毫欧 @ 9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) D²PAK(TO-263AB) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB	暂无价格	对比