SUM45N25-58-E3 与 IRFS4229PBF 区别
| 型号 | SUM45N25-58-E3 | IRFS4229PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUM45N25-58-E3 | A-IRFS4229PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 250 V 0.058 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263-3 | Single N-Channel 250 V 48 mOhm 110 nC 330 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 58m Ohms@20A,10V | 48mΩ@26A,10V |
| 漏源极电压Vds | 250V | 250V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.75W(Ta),375W(Tc) | 330W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 45A | 45A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) |
| 系列 | TrenchFET® | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5000pF @ 25V | 4560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 140nC @ 10V | 110nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4560pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUM45N25-58-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 45A(Tc) ±30V 3.75W(Ta),375W(Tc) 58m Ohms@20A,10V -55°C~175°C(TJ) 250V 45A TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFS4229PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 48mΩ@26A,10V N-Channel 250V 45A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFS4229TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 48mΩ@26A,10V N-Channel 250V 45A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FDB44N25TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 800 | 对比 |
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FDB44N25TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FDB44N25TMTR | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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