SUM40N15-38-E3 与 IRFS52N15DTRRP 区别
| 型号 | SUM40N15-38-E3 | IRFS52N15DTRRP |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUM40N15-38-E3 | A-IRFS52N15DTRRP |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 150 V 38 mO 38 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK) | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 38 mOhms @ 15A,10V | 32mΩ@36A,10V |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.75W(Ta),166W(Tc) | 3.8W(Ta),230W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263AB | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 51A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2770pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 89nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUM40N15-38-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 38 mOhms @ 15A,10V 3.75W(Ta),166W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 150V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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HUF75842S3ST | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRFS41N15DTRLP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.1W(Ta) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@25A,10V N-Channel 150V 41A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFS52N15DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.8W(Ta),230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 32mΩ@36A,10V N-Channel 150V 51A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFS41N15DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.1W(Ta) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@25A,10V N-Channel 150V 41A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFS52N15DTRRP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150V 51A(Tc) ±30V 3.8W(Ta),230W(Tc) 32mΩ@36A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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