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SUM110N10-09-E3  与  PSMN9R5-100BS,118  区别

型号 SUM110N10-09-E3 PSMN9R5-100BS,118
唯样编号 A3t-SUM110N10-09-E3 A3t-PSMN9R5-100BS,118
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 9.5 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TO-263 MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@30A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),375W(Tc) 211W
输出电容 - 302pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 110A 89A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6700pF @ 25V -
输入电容 - 4454pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 160nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 9.6mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM110N10-09-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 9.5mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 当前型号
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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PSMN9R5-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 110A

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SOT404 N-Channel 211W 175°C 3V 100V 89A

暂无价格 0 对比

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