SUD70090E-GE3 与 IRFR3710ZTRLPBF 区别
| 型号 | SUD70090E-GE3 | IRFR3710ZTRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUD70090E-GE3 | A-IRFR3710ZTRLPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.9 mOhms @ 20A,10V | 18mΩ@33A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 125W | 140W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak |
| 连续漏极电流Id | 50A(Tc) | 56A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2930pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 100nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2930pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 100nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUD70090E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 8.9 mOhms @ 20A,10V 125W TO-252 -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AOD296A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 70A 89W 8.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
STD100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 50,000 | 对比 |
|
|
STD80N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 12,500 | 对比 |
|
IRFR3710ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STD80N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
